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原子沉積系統ALD

簡(jiǎn)要描述:*原子沉積系統ALD,源于*的技術(shù)。是一種能以原子級精度將薄膜覆蓋沉積到各種基底上的方法??梢愿鶕蛻?hù)不用的應用選擇不同的配置,價(jià)格優(yōu),性能好。

  • 產(chǎn)品型號:IPS
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-05-21
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:3983

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原子沉積系統ALD

標準型(Standard )設備

價(jià)格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配

結構簡(jiǎn)單,操作方便,后期維護簡(jiǎn)單易行

用途廣,適合各種基底材料

原子沉積系統ALD ——擴展型(Flexivol)設備

腔室體積可根據用戶(hù)樣品的尺寸靈活調節,同一腔室可通過(guò)簡(jiǎn)單的調節適用于不同厚度的樣品

增多前驅體源入口數目,避免腔室體積增大對前驅體化學(xué)源氣氛分布的影響

ALD原子層沉積系統——高度定制化(Non-Standard)設備

為工業(yè)客戶(hù)提供薄膜沉積方案

放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術(shù)

根據客戶(hù)的特殊需求,加工定制,滿(mǎn)足特殊應用及大規模的生產(chǎn)需要

研發(fā)(R&D)服務(wù)

開(kāi)發(fā)新的薄膜沉積方案

診斷、改進(jìn)現有ALD的工藝

為潛在的客戶(hù)做覆膜演示

薄膜沉積工藝咨詢(xún)

原子層沉積系統ALD技術(shù)參數

不銹鋼材質(zhì)腔室,根據客戶(hù)樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進(jìn)樣系統標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

前驅體進(jìn)樣系統配有快速氣動(dòng)閥門(mén)

多段溫度控制

前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

基本壓強 10^−1/10^−3 mbar

設備尺寸 1000x600x1000 mm

觸控控制系統

系統當前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門(mén)開(kāi)度等

工藝監控:溫度和壓力等

偏差報警和安全鎖

菜單操作,實(shí)時(shí)監控

可增配選項

等離子體發(fā)生器    借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強ALD性能

臭氧發(fā)生器         提供強氧化劑,增大ALD生長(cháng)的前驅體選擇范圍

石英晶體微天平    在線(xiàn)監測薄膜沉積的厚度

愛(ài)譜斯中國有限公司是一家專(zhuān)業(yè)儀器制造及銷(xiāo)售公司,公司業(yè)務(wù)主要為進(jìn)口儀器設備,涉及化學(xué),材料,環(huán)境,生命科學(xué)等各個(gè)學(xué)科。公司始終把客戶(hù)的需求與產(chǎn)品質(zhì)量放在*,專(zhuān)業(yè)的售后服務(wù)團隊,歡迎廣大客戶(hù)咨詢(xún)!

 

 

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